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M24C32-WBN6P

M24C32-WBN6P

Nur als Referenz

Teilenummer M24C32-WBN6P
PNEDA Teilenummer M24C32-WBN6P
Beschreibung IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 9.086
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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M24C32-WBN6P Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM24C32-WBN6P
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M24C32-WBN6P, M24C32-WBN6P Datenblatt (Total Pages: 51, Größe: 919,39 KB)
PDFM24C32-FCU6TP/TF Datenblatt Cover
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M24C32-WBN6P Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße32Kb (4K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit450ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

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Die

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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