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M24C16-RMN6TP

M24C16-RMN6TP

Nur als Referenz

Teilenummer M24C16-RMN6TP
PNEDA Teilenummer M24C16-RMN6TP
Beschreibung IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SO
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 916.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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M24C16-RMN6TP Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM24C16-RMN6TP
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M24C16-RMN6TP, M24C16-RMN6TP Datenblatt (Total Pages: 42, Größe: 740,32 KB)
PDFM24C16-WMN6P Datenblatt Cover
M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 2 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 3 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 4 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 5 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 6 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 7 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 8 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 9 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 10 M24C16-WMN6P Datenblatt Seite 11

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M24C16-RMN6TP Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit900ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

105ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

6ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (2M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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