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M24256-DFMC6TG

M24256-DFMC6TG

Nur als Referenz

Teilenummer M24256-DFMC6TG
PNEDA Teilenummer M24256-DFMC6TG
Beschreibung IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8UFDFPN
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 19.128
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

M24256-DFMC6TG Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM24256-DFMC6TG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M24256-DFMC6TG, M24256-DFMC6TG Datenblatt (Total Pages: 47, Größe: 838,19 KB)
PDFM24256-BFCS6TP/K Datenblatt Cover
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M24256-DFMC6TG Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit450ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UFDFPN (2x3)

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Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT46V16M16CY-5B IT:M

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

MT47H128M8HQ-3 L:G

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-FBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x11.5)

MT46V16M16P-5B IT:M

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

66-TSOP

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