LXA08B600
Nur als Referenz
| Teilenummer | LXA08B600 |
| PNEDA Teilenummer | LXA08B600 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
| Hersteller | Power Integrations |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.070 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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LXA08B600 Ressourcen
| Marke | Power Integrations |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LXA08B600 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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LXA08B600 Technische Daten
| Hersteller | Power Integrations |
| Serie | Qspeed™ |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.94V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 250µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 94A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 20A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 18µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 1298pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 5V Current - Average Rectified (Io) 10mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 350mV @ 1mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 120µA @ 5V Kapazität @ Vr, F. 0.8pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket VMN2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 800ps Strom - Umkehrleckage @ Vr 15µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-923 Lieferantengerätepaket SOD-923 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
