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LVE2560-M3/P

LVE2560-M3/P

Nur als Referenz

Teilenummer LVE2560-M3/P
PNEDA Teilenummer LVE2560-M3-P
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.866
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

LVE2560-M3/P Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLVE2560-M3/P
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
LVE2560-M3/P, LVE2560-M3/P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 114,41 KB)
PDFLVE2560-M3/P Datenblatt Cover
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LVE2560-M3/P Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)3.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If920mV @ 12.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-SIP, GSIB-5S
LieferantengerätepaketGSIB-5S

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Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Single Phase

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Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL

GBU4J-5410M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

KBU1010

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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