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LTC7003EMSE#PBF

LTC7003EMSE#PBF

Nur als Referenz

Teilenummer LTC7003EMSE#PBF
PNEDA Teilenummer LTC7003EMSE-PBF
Beschreibung IC GATE DRVR N-CH MOSFET 16 MSOP
Hersteller Linear Technology/Analog Devices
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Auf Lager 15.432
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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LTC7003EMSE#PBF Ressourcen

Marke Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLTC7003EMSE#PBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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LTC7003EMSE#PBF Technische Daten

HerstellerLinear Technology/Analog Devices
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung3.5V ~ 60V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)90ns, 40ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-TFSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-MSOP

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.9A, 2.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

HIP2120FRTBZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

3.7V, 7.93V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

9-TDFN (4x4)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.5V, 3.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10µs, 280µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IRS2113MTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 2.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 17ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads

Lieferantengerätepaket

16-MLPQ (4x4)

ISL6615CRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

13ns, 10ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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