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LTC7000EMSE#PBF

LTC7000EMSE#PBF

Nur als Referenz

Teilenummer LTC7000EMSE#PBF
PNEDA Teilenummer LTC7000EMSE-PBF
Beschreibung IC GATE DRVR N-CH MOSFET 16MSOP
Hersteller Linear Technology/Analog Devices
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Auf Lager 13.884
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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LTC7000EMSE#PBF Ressourcen

Marke Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLTC7000EMSE#PBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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LTC7000EMSE#PBF Technische Daten

HerstellerLinear Technology/Analog Devices
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung3.5V ~ 135V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)90ns, 40ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-TFSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-MSOP

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Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SM74104SD/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.6A, 1.6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

600ns, 600ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

NCV5701CDR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.75V, 4.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

20mA, 15mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9.2ns, 7.9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ISL6612IB-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ISL6613CRZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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