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LTC4444HMS8E#WPBF

LTC4444HMS8E#WPBF

Nur als Referenz

Teilenummer LTC4444HMS8E#WPBF
PNEDA Teilenummer LTC4444HMS8E-WPBF
Beschreibung HI V SYNC N-CH MOSFET DRVR
Hersteller Linear Technology/Analog Devices
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LTC4444HMS8E#WPBF Ressourcen

Marke Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLTC4444HMS8E#WPBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
LTC4444HMS8E#WPBF, LTC4444HMS8E#WPBF Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 677,72 KB)
PDFLTC4444IMS8E#WTRPBF Datenblatt Cover
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LTC4444HMS8E#WPBF Technische Daten

HerstellerLinear Technology/Analog Devices
SerieAutomotive, AEC-Q100
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung7.2V ~ 13.5V
Logikspannung - VIL, VIH1.85V, 3.25V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2.5A, 3A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)8ns, 5ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MSOP-EP

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-S (6x5)

TC1412EUA713

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

18ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

IR2011PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.7V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

35ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

ISL6801AB

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 6.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.4V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 200mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

200ns, 200ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FAN73832MX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

15V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

350mA, 650mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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