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LT1160CN#PBF

LT1160CN#PBF

Nur als Referenz

Teilenummer LT1160CN#PBF
PNEDA Teilenummer LT1160CN-PBF
Beschreibung IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP
Hersteller Linear Technology/Analog Devices
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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LT1160CN#PBF Ressourcen

Marke Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLT1160CN#PBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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LT1160CN#PBF Technische Daten

HerstellerLinear Technology/Analog Devices
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.5A, 1.5A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)60V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)130ns, 60ns
Betriebstemperatur0°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall14-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket14-PDIP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 29ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 30V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

14A, 14A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN (4x5)

IR2105S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

210mA, 360mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

100ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ISL89163FRTAZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (3x3)

UCC27712D

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.8A, 2.8A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

700V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

16ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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