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LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Nur als Referenz

Teilenummer LSIC2SD120A08
PNEDA Teilenummer LSIC2SD120A08
Beschreibung DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 21.324
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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LSIC2SD120A08 Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLSIC2SD120A08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
LSIC2SD120A08, LSIC2SD120A08 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 830,16 KB)
PDFLSIC2SD120A08 Datenblatt Cover
LSIC2SD120A08 Datenblatt Seite 2 LSIC2SD120A08 Datenblatt Seite 3 LSIC2SD120A08 Datenblatt Seite 4 LSIC2SD120A08 Datenblatt Seite 5

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LSIC2SD120A08 Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
SerieGen2
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)24.5A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8V @ 8A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.454pF @ 1V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Microsemi

Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

300mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, D

Lieferantengerätepaket

D-5D

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

UFS510G/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-215AB, SMC Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

70A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 220A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

9mA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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