LMG1210RVRT
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| Teilenummer | LMG1210RVRT |
| PNEDA Teilenummer | LMG1210RVRT |
| Beschreibung | 200V, 1.5A/3A HALF BRIDGE MOSFET |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LMG1210RVRT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LMG1210RVRT |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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LMG1210RVRT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 6V ~ 18V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.5A, 3A |
| Eingabetyp | TTL |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 500ps, 500ps |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount, Wettable Flank |
| Paket / Fall | 19-WFQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 19-WQFN (3x4) |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 3V, 8V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.6A, 1.6A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 600ns, 600ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 500mA, 500mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5ns, 7ns Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 16.5V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 1.7µs, 2.5µs Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 18-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
