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LM5114BMF/S7003110

LM5114BMF/S7003110

Nur als Referenz

Teilenummer LM5114BMF/S7003110
PNEDA Teilenummer LM5114BMF-S7003110
Beschreibung IC GATE DVR 7.6A LOSIDE SOT23-6
Hersteller Texas Instruments
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Auf Lager 2.394
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LM5114BMF/S7003110 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLM5114BMF/S7003110
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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LM5114BMF/S7003110 Technische Daten

Hersteller
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4V ~ 12.6V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.3A, 7.6A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)82ns, 12.5ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-23-6

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

IRS25752LTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

µHVIC™

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

160mA, 240mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

85ns, 40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

LM5113TMX/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.76V, 1.89V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

107V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7ns, 1.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-WFBGA

Lieferantengerätepaket

12-µSMD (1.74x1.87)

IR21368PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

TC4627COE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

33ns, 27ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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16-SOIC

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