LM5113TME/NOPB
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| Teilenummer | LM5113TME/NOPB |
| PNEDA Teilenummer | LM5113TME-NOPB |
| Beschreibung | IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 344.070 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LM5113TME/NOPB Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LM5113TME/NOPB |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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LM5113TME/NOPB Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1.76V, 1.89V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.2A, 5A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 107V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 7ns, 1.5ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-WFBGA, DSBGA |
| Lieferantengerätepaket | 12-DSBGA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA Eingabetyp RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 45ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
