LM5112Q1SD/NOPB
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| Teilenummer | LM5112Q1SD/NOPB |
| PNEDA Teilenummer | LM5112Q1SD-NOPB |
| Beschreibung | IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LM5112Q1SD/NOPB Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LM5112Q1SD/NOPB |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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LM5112Q1SD/NOPB Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 3.5V ~ 14V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 3A, 7A |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 14ns, 12ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-WSON (3x3) |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 7V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-DFN (3x3) |
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