LM5106SD
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| Teilenummer | LM5106SD |
| PNEDA Teilenummer | LM5106SD |
| Beschreibung | IC GATE DVR HALF BRIDGE 10WSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 36.023 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LM5106SD Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LM5106SD |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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LM5106SD Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 8V ~ 14V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.2A, 1.8A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 118V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 15ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-WSON (4x4) |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 2.3V, - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 570ns, 430ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-WSON (4x4) |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 6.85V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 4.5A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 33V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 17ns, 12ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 12V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 125ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
