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LM27222SDX

LM27222SDX

Nur als Referenz

Teilenummer LM27222SDX
PNEDA Teilenummer LM27222SDX
Beschreibung IC MOSFET DVR SYNC 4.5A HS 8WSON
Hersteller Texas Instruments
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LM27222SDX Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLM27222SDX
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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LM27222SDX Technische Daten

Hersteller
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4V ~ 6.85V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)3A, 4.5A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)33V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)17ns, 12ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-WSON (4x4)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

33ns, 27ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

TPS2830PWPG4

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.7A, 2.4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

28V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

14-HTSSOP

LM5100CSD/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

990ns, 715ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

LM5101CSD

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

990ns, 715ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

IRS2004PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

290mA, 600mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

70ns, 35ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

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