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LH5164AHN-10L

LH5164AHN-10L

Nur als Referenz

Teilenummer LH5164AHN-10L
PNEDA Teilenummer LH5164AHN-10L
Beschreibung IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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Auf Lager 3.078
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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LH5164AHN-10L Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH5164AHN-10L
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH5164AHN-10L, LH5164AHN-10L Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 111,83 KB)
PDFLH5164AN-10L Datenblatt Cover
LH5164AN-10L Datenblatt Seite 2 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 3 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 4 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 5 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 6 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 7 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 8 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 9 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 10 LH5164AN-10L Datenblatt Seite 11

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LH5164AHN-10L Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOP
Lieferantengerätepaket28-SOP

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71256L70TDB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

28-CDIP

JS28F00AP30TFA

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Axcell™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

MTFC64GJTDN-3F WT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

512Gb (64G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S29XS064RABBHI000

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

XS-R

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-VFBGA

Lieferantengerätepaket

44-FBGA (7.5x5)

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

16Gb (512M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

200-WFBGA

Lieferantengerätepaket

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