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LH5116NA-10

LH5116NA-10

Nur als Referenz

Teilenummer LH5116NA-10
PNEDA Teilenummer LH5116NA-10
Beschreibung IC SRAM 16K PARALLEL 24SOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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Auf Lager 5.454
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

LH5116NA-10 Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH5116NA-10
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH5116NA-10, LH5116NA-10 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 364,46 KB)
PDFLH5116NA-10 Datenblatt Cover
LH5116NA-10 Datenblatt Seite 2 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 3 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 4 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 5 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 6 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 7 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 8 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 9 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 10 LH5116NA-10 Datenblatt Seite 11

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LH5116NA-10 Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-SOIC (0.339", 8.60mm Width)
Lieferantengerätepaket24-SOP

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

125MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

Lieferantengerätepaket

54-VFBGA (8x8)

IS61NLP102418B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-LQFP (14x20)

RC28F128P33T85A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-TBGA

Lieferantengerätepaket

64-EasyBGA (8x10)

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