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LH28F160S5HT-L70

LH28F160S5HT-L70

Nur als Referenz

Teilenummer LH28F160S5HT-L70
PNEDA Teilenummer LH28F160S5HT-L70
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 56TSOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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Auf Lager 2.502
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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LH28F160S5HT-L70 Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH28F160S5HT-L70
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH28F160S5HT-L70, LH28F160S5HT-L70 Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 569,41 KB)
PDFLH28F160S5HT-L70 Datenblatt Cover
LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 2 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 3 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 4 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 5 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 6 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 7 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 8 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 9 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 10 LH28F160S5HT-L70 Datenblatt Seite 11

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LH28F160S5HT-L70 Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (2M x 8, 1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket56-TSOP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

M95256-WMW6G

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

CY7C2663KV18-550BZI

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

144Mb (8M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

550MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

CY7C1413AV18-200BZI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

MT40A2G4WE-083E:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

8Gb (2G x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.2GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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