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LH28F160S5HNS-S1

LH28F160S5HNS-S1

Nur als Referenz

Teilenummer LH28F160S5HNS-S1
PNEDA Teilenummer LH28F160S5HNS-S1
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 56SSOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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LH28F160S5HNS-S1 Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH28F160S5HNS-S1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH28F160S5HNS-S1, LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 691,16 KB)
PDFLH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Cover
LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 2 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 3 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 4 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 5 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 6 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 7 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 8 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 9 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 10 LH28F160S5HNS-S1 Datenblatt Seite 11

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LH28F160S5HNS-S1 Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (2M x 8, 1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-SOP (0.524", 13.30mm Width)
Lieferantengerätepaket56-SSOP

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Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

75ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-VFBGA

Lieferantengerätepaket

56-VFBGA (7x9)

BR93G56NUX-3TTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

S25FL127SABBHIC03

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-BGA (8x6)

CY7C1262XV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

450MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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