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LH28F160S5HNS-L70

LH28F160S5HNS-L70

Nur als Referenz

Teilenummer LH28F160S5HNS-L70
PNEDA Teilenummer LH28F160S5HNS-L70
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 56SSOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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LH28F160S5HNS-L70 Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH28F160S5HNS-L70
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH28F160S5HNS-L70, LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt (Total Pages: 64, Größe: 689,48 KB)
PDFLH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Cover
LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 2 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 3 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 4 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 5 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 6 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 7 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 8 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 9 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 10 LH28F160S5HNS-L70 Datenblatt Seite 11

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LH28F160S5HNS-L70 Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (2M x 8, 1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-SOP (0.524", 13.30mm Width)
Lieferantengerätepaket56-SSOP

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

633MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4Mb (128K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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7054L35PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Quad Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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128-TQFP (14x20)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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