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LH28F160S3T-L10A

LH28F160S3T-L10A

Nur als Referenz

Teilenummer LH28F160S3T-L10A
PNEDA Teilenummer LH28F160S3T-L10A
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 56TSOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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LH28F160S3T-L10A Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH28F160S3T-L10A
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH28F160S3T-L10A, LH28F160S3T-L10A Datenblatt (Total Pages: 56, Größe: 329,19 KB)
PDFLH28F160S3T-L10A Datenblatt Cover
LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 2 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 3 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 4 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 5 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 6 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 7 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 8 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 9 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 10 LH28F160S3T-L10A Datenblatt Seite 11

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LH28F160S3T-L10A Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (2M x 8, 1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket56-TSOP

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Quad Port, Synchronous

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

550MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Tb (256G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

24Gb (768M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-WFBGA

Lieferantengerätepaket

168-FBGA (12x12)

AS7C32098A-12TINTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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