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LDR31854

LDR31854

Nur als Referenz

Teilenummer LDR31854
PNEDA Teilenummer LDR31854
Beschreibung SCR MODULE 1.8KV 845A POW-R-BLOK
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 2.862
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LDR31854 Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLDR31854
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
LDR31854, LDR31854 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 219,69 KB)
PDFLDR31854 Datenblatt Cover
LDR31854 Datenblatt Seite 2 LDR31854 Datenblatt Seite 3 LDR31854 Datenblatt Seite 4

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LDR31854 Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand1.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)540A
Current - On State (It (RMS)) (max.)845A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)250mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)18000A, 17000A
Current - Hold (Ih) (Max)300mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 130°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPOW-R-BLOK™ Module

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Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

58A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1150A, 1230A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

PWS-E1

IRKT71/06A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1665A, 1740A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

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Anzahl der SCRs, Dioden

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Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1665A, 1740A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes

Anzahl der SCRs, Dioden

3 SCRs, 3 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

39A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

25mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

200A, 210A

Current - Hold (Ih) (Max)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

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T640N18TOFXPSA1

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Infineon Technologies

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Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

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Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

644A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1250A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

9400A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

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