L6747ATR
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| Teilenummer | L6747ATR |
| PNEDA Teilenummer | L6747ATR |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR 8-VFDFPN |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.322 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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L6747ATR Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | L6747ATR |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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L6747ATR Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 5V ~ 12V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 3.5A, - |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 41V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-VFDFPN (3x3) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 125mA, 250mA Eingabetyp RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
