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L512F

L512F

Nur als Referenz

Teilenummer L512F
PNEDA Teilenummer L512F
Beschreibung MODULE SCR/DIODE 25A 240VAC PCB
Hersteller Sensata-Crydom
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Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

L512F Ressourcen

Marke Sensata-Crydom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerL512F
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
L512F, L512F Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 551,6 KB)
PDFL621F Datenblatt Cover
L621F Datenblatt Seite 2 L621F Datenblatt Seite 3 L621F Datenblatt Seite 4

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L512F Technische Daten

HerstellerSensata-Crydom
Serie-
StrukturBridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs, 2 Diodes
Spannung - Aus Zustand600V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)-
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)100mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)300A @ 60Hz
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallModule

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Hersteller

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Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

320A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

520A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

9200A, 10100A

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y1-CU

T430N16TOFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

433A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

700A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5200A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

GA060TH65

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

6.5kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

104A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-2

TTW3C85N16LOFHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

6 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

106A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

75A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

720A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

ND420825

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

393A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8800A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POW-R-BLOK™ Module

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