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KSK596ABU

KSK596ABU

Nur als Referenz

Teilenummer KSK596ABU
PNEDA Teilenummer KSK596ABU
Beschreibung JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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KSK596ABU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSK596ABU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
KSK596ABU, KSK596ABU Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 47,49 KB)
PDFKSK596ABU Datenblatt Cover
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KSK596ABU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)20V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)100µA @ 5V
Stromaufnahme (Id) - max1mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id600mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3.5pF @ 5V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max100mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Short Body
LieferantengerätepaketTO-92S

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

J177_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N4338-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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