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KSD363RTU

KSD363RTU

Nur als Referenz

Teilenummer KSD363RTU
PNEDA Teilenummer KSD363RTU
Beschreibung TRANS NPN 120V 6A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 21.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

KSD363RTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSD363RTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
KSD363RTU, KSD363RTU Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 179,59 KB)
PDFKSD363OTU Datenblatt Cover
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KSD363RTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)120V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 1A, 5V
Leistung - max40W
Frequenz - Übergang10MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Leistung - max

310mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

2SD1858TV2Q

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

3-SIP

Lieferantengerätepaket

ATV

TIP2955

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

Leistung - max

90W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

TO-218

D44VH10

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 400mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 1V

Leistung - max

83W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

2SB1308-R-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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