KSD1616ALTA
Nur als Referenz
| Teilenummer | KSD1616ALTA |
| PNEDA Teilenummer | KSD1616ALTA |
| Beschreibung | TRANS NPN 60V 1A TO-92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 46.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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KSD1616ALTA Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | KSD1616ALTA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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KSD1616ALTA Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 2V |
| Leistung - max | 750mW |
| Frequenz - Übergang | 160MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 1.5mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 2000 @ 1.5A, 2V Leistung - max 1.3W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 30mA, 10V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 360MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket UMT3F |
