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KSD1273P

KSD1273P

Nur als Referenz

Teilenummer KSD1273P
PNEDA Teilenummer KSD1273P
Beschreibung TRANS NPN 60V 3A TO-220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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KSD1273P Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSD1273P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
KSD1273P, KSD1273P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 61,13 KB)
PDFKSD1273OTU Datenblatt Cover
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KSD1273P Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce800 @ 500mA, 4V
Leistung - max2W
Frequenz - Übergang30MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

Leistung - max

1.75W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

ZXTP19020DZTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

275mV @ 300mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

Leistung - max

2.4W

Frequenz - Übergang

176MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

PBHV9115Z,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 10V

Leistung - max

1.4W

Frequenz - Übergang

115MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SC-73

2SC6010(T2MITUM,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 75mA, 600mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-71

Lieferantengerätepaket

MSTM

BCW60FNE6393HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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