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KSC2518O

KSC2518O

Nur als Referenz

Teilenummer KSC2518O
PNEDA Teilenummer KSC2518O
Beschreibung TRANS NPN 400V 4A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
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KSC2518O Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC2518O
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
KSC2518O, KSC2518O Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 49,78 KB)
PDFKSC2518R Datenblatt Cover
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KSC2518O Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 300mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 5V
Leistung - max40W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

BD139-6-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126

2SA10960Q

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126B-A1

MMJT9435T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

110MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

BCW70T116

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 5V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SST3

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