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KSB596OTU

KSB596OTU

Nur als Referenz

Teilenummer KSB596OTU
PNEDA Teilenummer KSB596OTU
Beschreibung TRANS PNP 80V 4A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.924
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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KSB596OTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSB596OTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
KSB596OTU, KSB596OTU Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 228,97 KB)
PDFKSB596O Datenblatt Cover
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KSB596OTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.7V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)70µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 5V
Leistung - max30W
Frequenz - Übergang3MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75, SOT-416

BSP60E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.8V @ 1mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

MPS650RLRAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

75MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BC547BZL1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N329A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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