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KBPC3506W-G

KBPC3506W-G

Nur als Referenz

Teilenummer KBPC3506W-G
PNEDA Teilenummer KBPC3506W-G
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 600V 35A KBPC-W
Hersteller Comchip Technology
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Auf Lager 5.148
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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KBPC3506W-G Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKBPC3506W-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter

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KBPC3506W-G Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 17.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-Square, KBPC-W
LieferantengerätepaketKBPC-W

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Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

18A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 18A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

12µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

2.3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBJ

Lieferantengerätepaket

KBJ

GBU8M-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBPC3501W

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, GBPC-W

Lieferantengerätepaket

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