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JR28F032M29EWTB TR

JR28F032M29EWTB TR

Nur als Referenz

Teilenummer JR28F032M29EWTB TR
PNEDA Teilenummer JR28F032M29EWTB-TR
Beschreibung IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 3.852
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JR28F032M29EWTB TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJR28F032M29EWTB TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
JR28F032M29EWTB TR, JR28F032M29EWTB TR Datenblatt (Total Pages: 87, Größe: 980,97 KB)
PDFPZ28F064M29EWTX Datenblatt Cover
PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 2 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 3 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 4 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 5 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 6 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 7 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 8 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 9 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 10 PZ28F064M29EWTX Datenblatt Seite 11

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JR28F032M29EWTB TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (4M x 8, 2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP

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-

Speicherformat

-

Technologie

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Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS26KL512S-DABLA300TR

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

96ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-VBGA

Lieferantengerätepaket

24-FBGA (6x8)

MT41J512M8THD-15E:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.5ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (9x11.5)

SST39VF400A-70-4C-EKE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

AT34C04-SS5M-B

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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