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JANTXV2N3867S

JANTXV2N3867S

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV2N3867S
PNEDA Teilenummer JANTXV2N3867S
Beschreibung TRANS PNP 40V 3A TO39
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.734
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JANTXV2N3867S Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV2N3867S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JANTXV2N3867S Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/350
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 250mA, 2.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 1.5A, 2V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-39 (TO-205AD)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 130mA, 6.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

500 @ 10mA, 2V

Leistung - max

2.4W

Frequenz - Übergang

260MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

BC369G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

65MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N3468L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

KSA1175RTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

3000 @ 3A, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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