JANTXV2N3500L
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| Teilenummer | JANTXV2N3500L |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV2N3500L |
| Beschreibung | TRANS NPN 150V 0.3A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.474 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTXV2N3500L Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV2N3500L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTXV2N3500L Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/366 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 150V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-5 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/454 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-5 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 620mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 175mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V Leistung - max 1.3W Frequenz - Übergang 330MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89/PCP-1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 10mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 150mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Leistung - max 20W Frequenz - Übergang 15MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
