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JANTXV2N2326AU4

JANTXV2N2326AU4

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV2N2326AU4
PNEDA Teilenummer JANTXV2N2326AU4
Beschreibung SCR 200V 3SMD
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.028
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JANTXV2N2326AU4 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV2N2326AU4
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs

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JANTXV2N2326AU4 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/276
Spannung - Aus Zustand200V
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)600mV
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)20µA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)-
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)-
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Current - Hold (Ih) (Max)2mA
Current - Off State (Max)10µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)15A @ 60Hz
SCR-TypStandard Recovery
Betriebstemperatur-65°C ~ 125°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, No Lead
LieferantengerätepaketU4

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Hersteller

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Serie

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Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

50mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.75V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

25A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

40A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Current - Off State (Max)

10µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A, 420A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TOP-3

Lieferantengerätepaket

TOP3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

600V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

800mV

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200µA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.7V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1.5A

Current - Hold (Ih) (Max)

5mA

Current - Off State (Max)

10µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

15A @ 60Hz

SCR-Typ

Sensitive Gate

Betriebstemperatur

-40°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

800V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

50mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

2.2V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

35A

Current - Hold (Ih) (Max)

75mA

Current - Off State (Max)

20µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A @ 100Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

TO-218

VS-ST180C16C1L

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.96V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

350A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

660A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Current - Off State (Max)

30mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4200A, 4400A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-200AB, A-PUK

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Hersteller

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-

Spannung - Aus Zustand

60V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

800mV

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200µA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.7V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

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Current - On State (It (RMS)) (max.)

800mA

Current - Hold (Ih) (Max)

5mA

Current - Off State (Max)

10µA

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SCR-Typ

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