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JANTXV2N2326AS

JANTXV2N2326AS

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV2N2326AS
PNEDA Teilenummer JANTXV2N2326AS
Beschreibung DIODE SILICON CTRL TO39
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTXV2N2326AS Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV2N2326AS
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs

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JANTXV2N2326AS Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/276
Spannung - Aus Zustand200V
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)600mV
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)20µA
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)-
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)220mA
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Current - Hold (Ih) (Max)2mA
Current - Off State (Max)-
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)-
SCR-TypSensitive Gate
Betriebstemperatur-65°C ~ 125°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-39 (TO-205AD)

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Spannung - Aus Zustand

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Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.65V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

900A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1400A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Current - Off State (Max)

35mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

12000A, 13000A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Spannung - Aus Zustand

800V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.4V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

10A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

16A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Current - Off State (Max)

500µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

200A @ 50Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

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WeEn Semiconductors

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

650V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

15mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.75V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

7.5A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

12A

Current - Hold (Ih) (Max)

20mA

Current - Off State (Max)

500µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

100A, 110A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

VS-ST333C04LFM0

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

400V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.96V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

720A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1435A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Current - Off State (Max)

50mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

11000A, 11500A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

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Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Current - Off State (Max)

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