JANTXV2N2218AL
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| Teilenummer | JANTXV2N2218AL |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV2N2218AL |
| Beschreibung | TRANS NPN 50V 0.8A TO5 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.866 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV2N2218AL Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV2N2218AL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTXV2N2218AL Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/251 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-5 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 30mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 20V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 2A, 10V Leistung - max 25W Frequenz - Übergang 125MHz Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-100, SOT-669 Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 400mA, 10V Leistung - max 25W Frequenz - Übergang 5MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
