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JANTXV2N1893S

JANTXV2N1893S

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV2N1893S
PNEDA Teilenummer JANTXV2N1893S
Beschreibung TRANS NPN 80V 0.5A TO-39
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTXV2N1893S Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV2N1893S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JANTXV2N1893S Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/182
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic5V @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 10V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-39 (TO-205AD)

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Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5000 @ 3A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

15MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Transistortyp

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 600mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

30µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

8MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

480mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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