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JANTXV1N6643US

JANTXV1N6643US

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV1N6643US
PNEDA Teilenummer JANTXV1N6643US
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JANTXV1N6643US Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV1N6643US
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JANTXV1N6643US Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/578
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)300mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)20ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.5pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, D
LieferantengerätepaketD-5D
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RMPG06JHE3_A/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

6.6pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

MPG06

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-APU3006HN3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Current - Average Rectified (Io)

800A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Hersteller

IXYS

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-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.29V @ 30A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 1600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 400V, 1MHz

Montagetyp

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