JANTXV1N6642
Nur als Referenz
Teilenummer | JANTXV1N6642 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | JANTXV1N6642 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 300MA | ||||||||||||||||||
Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 900 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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JANTXV1N6642 Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | JANTXV1N6642 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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JANTXV1N6642 Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/578 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 300mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 20ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | Axial |
Lieferantengerätepaket | - |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-87 Lieferantengerätepaket MELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 570mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 330pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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