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JANTXV1N6629US

JANTXV1N6629US

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV1N6629US
PNEDA Teilenummer JANTXV1N6629US
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTXV1N6629US Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV1N6629US
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JANTXV1N6629US Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)1.4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 1.4A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.40pF @ 10V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, E
LieferantengerätepaketD-5B
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

9mA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-60°C ~ 200°C

SK510B-LTP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYV29-500,127

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

VS-T110HF80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

110A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-55 T-Module

Lieferantengerätepaket

D-55

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

R2500F-AP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2500V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

4V @ 40V

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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