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JANTX2N930

JANTX2N930

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX2N930
PNEDA Teilenummer JANTX2N930
Beschreibung TRANS NPN 45V 0.03A
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.720
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTX2N930 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX2N930
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JANTX2N930 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/253
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10µA, 5V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-18 (TO-206AA)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.3V @ 600mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 2.5A, 5V

Leistung - max

70W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

2N2907

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1.8W

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

SST2222AT116

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SST3

2N6059

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 6A, 3V

Leistung - max

150W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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