JANTX2N720A
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| Teilenummer | JANTX2N720A |
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N720A |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.006 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTX2N720A Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N720A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTX2N720A Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/182 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 15mA, 150mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 (TO-206AA) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 3A, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 3A, 4V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 250mA, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket TO-92 (TO-226) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 270MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 2V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 350MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket EMT3F (SOT-416FL) |
