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JANTX2N5416U4

JANTX2N5416U4

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX2N5416U4
PNEDA Teilenummer JANTX2N5416U4
Beschreibung TRANS PNP 300V 1A
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.032
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTX2N5416U4 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX2N5416U4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JANTX2N5416U4 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/485
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic2V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 10V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, No Lead
LieferantengerätepaketU4

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

4000 @ 2A, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

20MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-A1

KSD2012YTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Leistung - max

25W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

JANTXV2N3867S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/350

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

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JANTXV2N6384

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/523

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

Leistung - max

6W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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