JANTX2N5339
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| Teilenummer | JANTX2N5339 |
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N5339 |
| Beschreibung | DIODE |
| Hersteller | M/A-Com Technology Solutions |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.650 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTX2N5339 Ressourcen
| Marke | M/A-Com Technology Solutions |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N5339 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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JANTX2N5339 Technische Daten
| Hersteller | M/A-Com Technology Solutions |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/560 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 (TO-205AD) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Bourns Inc. Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max 100W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-218-3 Lieferantengerätepaket TO-218 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 3A, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 2.5A, 4V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang 10MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
