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JANTX2N4416AUB

JANTX2N4416AUB

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX2N4416AUB
PNEDA Teilenummer JANTX2N4416AUB
Beschreibung JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTX2N4416AUB Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX2N4416AUB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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JANTX2N4416AUB Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)35V
Drain to Source Voltage (Vdss)35V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)15mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id6V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket4-SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

100mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 2V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

VTFP

P1087_D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

150 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMBFJ177

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

P1086

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

10V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

75 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMBFJ203

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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