JANTX2N3636UB
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| Teilenummer | JANTX2N3636UB |
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N3636UB |
| Beschreibung | TRANS PNP 175V 1A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 5 - Apr 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTX2N3636UB Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N3636UB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTX2N3636UB Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 175V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 3-SMD |
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Hersteller Bourns Inc. Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Bourns Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 12 @ 4A, 10V Leistung - max 60W Frequenz - Übergang 6MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 150mA, 7.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 7.5A, 3V Leistung - max 70W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Bourns Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 1.6A, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 5A, 4V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
