JANTX1N3891
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| Teilenummer | JANTX1N3891 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | JANTX1N3891 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.028 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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JANTX1N3891 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX1N3891 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTX1N3891 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 38A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-203AA |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Comchip Technology Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket SMC (DO-214AB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1700V Current - Average Rectified (Io) 50A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 12µA @ 1700V Kapazität @ Vr, F. 669pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/297 Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
