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JANTX1N3646

JANTX1N3646

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX1N3646
PNEDA Teilenummer JANTX1N3646_5E
Beschreibung DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.114
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JANTX1N3646 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX1N3646
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JANTX1N3646 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/279
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1750V
Current - Average Rectified (Io)250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If5V @ 250mA
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1750V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallS, Axial
LieferantengerätepaketS, Axial
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/429

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 12V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

A-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MSS2P3HM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

65pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AD

Lieferantengerätepaket

MicroSMP (DO-219AD)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

V10PM15-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

ES2AHM3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

18pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JANTX1N3890

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/304

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

115pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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